Conductividad intrínseca de los semiconductores

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Conductividad intrínseca de los semiconductores

Tipo N

Si en la red cristalina de un elemento tetravalente (Ge o Si), sustituimos algunos átomos por átomos de un elemento pentavalente (P – fósforo, As – astato, Sb – antimonio), sólo se utilizan 4 de las 5 impurezas de electrones de valencia. El quinto electrón no está implicado en el enlace, está débilmente unido al núcleo. La energía es suficiente para liberarla, por ejemplo: temperatura ambiente, diferentes tipos de radiación,… Los electrones liberados de las impurezas pentavalentes, llamadas donantes o donadores, se mueven en el espacio de la red cristalina. Forman una conductividad inducida por el movimiento de cargas negativas, negativas, que se denomina conductividad intrínseca  Tipo N y conductividad de electrones .

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Tipo P

Si en la red cristalina de un semiconductor tetravalente puro sustituimos algunos de los átomos del material base por átomos de un elemento trivalente (B – boro; Al – aluminio; Ga – galio; In – indio ), falta un electrón para que se pueda formar un enlace covalente saturado. La vacante en el enlace es ahora un agujero, que se comporta como una carga positiva en movimiento que permite conducir corriente a través del material, y lo llamamos conductividad no intrínseca  del tipo P, y es la conductividad del agujero. Un átomo de un elemento trivalente se denomina aceptor porque acepta (acepta) un electrón en su esfera de valencia cuando llena un enlace insaturado.

TRANSICIONES PN – Esquema , explicación , lecciones aprendidas